به گزارش الفبای رشد به نقل از مهر، حامد دانشور دانش آموخته دکتری دانشگاه صنعتی امیرکبیر و مجری طرح «مدل سازی و تحلیل تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده توان با ترانزیستور گسسته در محفظه شیلد روزنه دار» با بیان اینکه تقویت کننده توان یکی از بخش های اصلی هر تجهیز مخابراتی است، افزود: تأثیرپذیری الکترومغناطیسی این تقویت کننده یکی از مسائل مهم در عملکرد این تجهیزات است.
وی خاطر نشان کرد: پژوهشهای انجام شده در این حوزه، عملکرد کل مدار تقویت کننده تحت تابش میدان های الکتریکی مجاور آن را به صورت همزمان مورد تحلیل قرار نمی دهند. در این پژوهش، عملکرد کل مدار تقویت کننده توان تحت تابش میدان الکتریکی در یک محفظه شیلد روزنه دار به صورت تمام موج تحلیل شد.
به گفته محقق دانشگاه صنعتی امیرکبیر، برای انجام این پژوهش، ابتدا یک تقویت کننده توان با مشخصات موردنظرطراحی شدو سپس این تقویت کننده برای کاهش اثرات میدانهای تابشی مجاور درون یک محفظه شیلد روزنه دار قرار گرفت.
وی ادامه داد: در ادامه با تحت تابش قراردادن این محفظه، تأثیرپذیری عملکرد تقویت کننده توان تحلیل شد.
دانش آموخته دانشگاه صنعتی امیرکبیر بیان کرد: با استفاده از نتایج و روش ارائه شده در این پژوهش می توان تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تجهیزات مخابراتی مختلف نظیر موبایل و ماهواره های مخابراتی را با دقت بیشتر مورد بررسی قرار داد.
دانشور عنوان کرد: از نتایج حاصل از این پژوهش تاکنون دو مقاله منتشر شده که تمرکز اصلی آن ها روی تحلیل تأثیرپذیری الکترومغناطیسی تقویت کننده با تعمیم روش عددی تفاضل محدود حوزه زمان است.
