به گزارش الفبای رشد به نقل از فرهنگ آفرینان، نیمههادیها یا نیمهرساناها در تراشههای حافظه، ترانزیستورها و سلولهای خورشیدی کاربرد دارند. اما درون این دستگاهها میتواند معایبی نامرئی موسوم به «تلههای الکترونیکی» وجود داشته باشد و با جریان الکتریکی تداخل ایجاد کند. این نقایص میتواند فرآیند انتقال الکتریکی و نوترکیبی حاملهای بار را در بسیاری از دستگاهها تغییر دهد یا بر آن تسلط یابد.
این مسئله، اغلب باعث کاهش رسانایی یا کاهش طول عمر حاملهای بار میشود. ازاینرو، درک و کنترل آنها برای بهینهسازی عملکرد دستگاههای نیمههادی بسیار مهم است.
بههمینمنظور، گروهی از محققان گروه علوم و مهندسی مواد در موسسه پیشرفته علوم و فناوری کره و مرکز تحقیقات IBM T. J. Watson، شیوه جدیدی برای اندازهگیری توسعه دادهاند که میتواند بهطور همزمان نقصهایی را که مانع انتقال الکتریکی (تلههای الکترونیکی) و خواص انتقال بار در داخل نیمههادیها میشود تجزیه وتحلیل کند.
